|
| |
|
|  |
https://doi.org/10.15407/ukrbotj77.06.472
Решетник К.С., Приседський Ю.Г.
Ріст та культурально-морфологічні особливості штамів Laetiporus sulphureus (Polyporales, Basidiomycota) за дії лазерного опромінення
Резюме Представлено дані щодо швидкості росту та культурально-морфологічних характеристик вегетативного міцелію для 3 штамів гриба Laetiporus sulphureus з Колекції культур базидієвих грибів кафедри ботаніки та екології Донецького національного університету імені Василя Стуса за дії лазерного опромінення. Обрані штами були культивовані на картопляно-глюкозному агарі (КГА) за температури 26 ± 1 °С. Встановлена залежність показників від тривалості опромінення (5 та 10 с) та довжини хвилі світла (зелене – 532 нм, синє – 405 нм та червоне – 635 нм). Для усіх досліджуваних штамів найефективнішим виявилось опромінення зеленим світлом (енергія опромінення 51,1 мДж/см2) тривалістю 10 с. За дії такого режиму швидкість радіального росту міцелію зросла від 23,4% до 66,7% відповідно, а інокулюм та центральна зона колонії навколо нього утворювали більш щільний та високий міцелій, забарвлений в блідо-пісочний колір. В цілому культурально-морфологічні особливості міцеліальних колоній штамів L. sulphureus за різних умов дещо відрізнялися, проте були типовими для цього виду.
|
